شرکت Micron از فناوری‌های حافظه نسل بعد HBMnext و GDDR6X رونمایی کرد. به گفته این شرکت کارت گرافیک انویدیا RTX 3090 از فناوری GDDR6X برخوردار خواهد بود و ۱۲ گیگابایت رم را ارائه می‌کند.
به گزارش ExtremeTech، فناوری GDDR6X پیشرفت جزئی نسبت به GDDR6 داشته و پهنای باند ۹۱۲ گیگابایت-۱ ترابایت بر ثانیه را نسبت به پهنای باند تقریبی ۶۷۲-۷۶۸ گیگابایت بر ثانیه GDDR6 ارائه می‌کند.
GDDR6X در حال حاضر حداکثر ظرفیت تراشه ۸ گیگابیت و پهنای باند ۲۱ گیگابیت بر ثانیه برای هر پین را به ارمغان آورده و در یک پیکربندی ۱۲ قطعه‌ای پهنای باند حافظه ۱ ترابایت بر ثانیه را ارائه امکان پذیر خواهد کرد. شرکت Micron قصد دارد سال ۲۰۲۱ از مدار مجتمع جدیدی با پهنای باند ۲۴ گیگابیت بر ثانیه و ظرفیت تراشه ۱۶ گیگابیت رونمایی کند که دستیابی به دو برابر VRAM بیشتر در پیکربندی یکسان را امکان پذیر خواهد کرد.
آنطور که منبع یاد شده گزارش می‌کند، فناوری HBMnext شرکت Micron مشابه فناوری HBM2E است. این حافظه که تولید آن از تیر ماه امسال توسط شرکت SK Hynix آغاز شده ۱۶ گیگابایت رم و پهنای باند ۴۶۰ گیگابایت بر ثانیه را ارائه می‌کند. تردیدهایی در مورد تفاوت مصرف برق در این استانداردهای حافظه وجود داشت و آنطور که Micron می‌گوید HBM2 و HBM2E در مقایسه با GDDR6/GDDR6X برتری دارند.
Micron می‌گوید در فناوری HBMnext از استاندارد مؤسسه JEDEC پیروی خواهد کرد و حافظه‌های HBM2E/HBMnext تا پایان سال ۲۰۲۲ با پیکربندی استک ۴ سطحی (4Hi)/8 گیگابایت و پیکربندی استک ۸ سطحی (8Hi)/16 گیگابایت به بازار عرضه می‌شوند.
