شرکتهای سامسونگ و IBM از جدیدترین دستاوردشان در طراحی نیمهرسانا رونمایی کردند: راهی جدید برای قرارگیری عمودی ترانزیستورها روی چیپ بجای قرارگیری تخت روی سطح نیمهرسانا. طراحی جدید سامسونگ و IBM چه مزایایی به همراه دارد؟
این طراحی جدید که Vertical Transport Field Effect Transistors یا به اختصار VTFET نام دارد، جایگزین فناوری FinFET کنونی میشود که در مدرنترین و پیشرفتهترین تراشههای امروزی مورد استفاده قرار میگیرد و باعث قرارگیری فشردهتر و بیشتر ترانزیستورها روی چیپها میشود. در این طراحی جدید، ترانزیستورها به صورت عمودی روی تراشه قرار میگیرند. این سبک طراحی اجازه میدهد جریان در پشته ترانزیستورها بجای حرکت به صورت افقی، به سمت بالا و پایین حرکت کند.
مدتهاست طراحی عمودی به موضوعی داغ در دنیای نیمه رساناها تبدیل شده و برای مثال اینتل هم در نقشه راه آیندهاش به چنین سمتی حرکتی میکند. چنین رویکردی منطقی به نظر میرسد چرا که اگر بخواهید روی یک صفحه چندین چیپ قرار دهید، قرارگیری عمودی بجای افقی کاربردیتر است.
مزایای طراحی جدید چیپ سامسونگ
در حالی که هنوز فاصله طولانی تا استفاده تجاری از طراحیهای VTFET در تراشههای مصرفی داریم، سامسونگ و IBM ادعاهای بزرگی را مطرح کردهاند. به گفته این کمپانیها، طراحی VTFET میتواند تا دو برابر عملکرد تراشهها را بهبود دهد یا اینکه منجر به کاهش ۸۵ درصدی مصرف انرژی نسبت به فناوری FinFET شود. این شرکتها همچنین میگویند با استفاده از طراحی جدید، میتوان در سالهای آینده از قانون مور استفاده کرد و تعداد ترانزیستورها را افزایش داد.
سامسونگ و IBM در کنار معرفی این طراحی جدید، به برخی کاربردهای آن هم اشاره کردهاند که جاهطلبانه به نظر میرسند. این کمپانیها میگویند با استفاده از این فناوری، باتری گوشیها میتوانند تا بیش از یک هفته دوام بیاورند. علاوه بر این، مصرف انرژی در زمینههایی مانند استخراج رمزارز یا رمزگذاری دادهها هم کاهش مییابد. همچنین میتوانیم منتظر دستگاههای اینترنت اشیاء قدرتمندتر یا حتی قویتر شدن فضاپیماها هم باشیم.
با وجود تمام این ادعاها، احتمالا باید چندین سال تا ورود طراحی جدید به دنیای تراشهها منتظر بمانیم. با این حال شرکتها بصورت جدی روی کاهش مصرف انرژی و افزایش قدرت چیپها کار میکنند و باید در آینده نه چندان دور منتظر افزایش چشمگیر شارژدهی دستگاههای قابل حمل باشیم.