سامسونگ تولید انبوه تراشه 3 نانومتری خود را از 30 ژوئن (9 تیر) آغاز کرده بود. حالا این شرکت اعلام کرده که در تاریخ 25 جولای (3 مردادماه) قصد دارد اولین محموله تولیدی تراشه 3 نانومتری جهان را به عنوان پیشرفته‌ترین نیمه‌هادی جهان به بازار عرضه کند. اولین مشتری این تراشه ظاهرا یک ماینر چینی است.
تراشه‌های 3 نانومتری سامسونگ مبتنی بر معمای ترانزیستوری Gate-All-Around (GAA) هستند و قرار است کمتر از یک ماه پس از آغاز تولید انبوه آن‌ها، عرضه می‌شوند.
نشریه کره‌ای BusinessKorea گزارش می‌دهد که اولین دسته از تراشه‌های 3 نانومتری به یک ماینر کریپتو چینی تحویل داده می‌شود. با این حال، به گفته چندین رسانه خبری ژاپنی و تایوانی، سامسونگ در درازمدت به دلیل وضعیت فعلی بازار ارزهای دیجیتال، چندان به مشتریان حوزه کریپتو خود متکی نخواهد بود.
به گزارش Pulse News Korea، اولین مراسم رونمایی از تراشه 3 نانومتری سامسونگ در مرکز تولید تراشه هواسئونگ، در ایالت گیونگی-دو کره جنوبی برگزار خواهد شد. همچنین «لی چانگ یانگ»، وزیر تجارت، صنعت و انرژی کره در این مراسم حضور خواهند داشت.
رقابت سامسونگ با TSMC
سامسونگ همچنین به عنوان بخشی از برنامه‌های خود برای رقابت با TSMC غول تایوانی بازار نیمه‌هادی، در نظر دارد تا تولید نسل دوم تراشه‌های 3 نانومتری خود را تا سال 2023 و تراشه‌های 2 نانومتری خود را تا سال 2025 آغاز کند.
TSMC قصد دارد تا تولید تراشه‌های 3 نانومتری مبتنی بر FinFET خود را اواخر این ماه یا در ماه آگوست آغاز کند. همچنین این شرکت ممکن است در سال 2025 تولید تراشه‌های 2 نانومتری مبتنی بر فناوری GAA را آغاز کند. فناوری 3 نانومتری سامسونگ از FinFET TSMC پیشرفته‌تر است.
در همین رابطه، سامسونگ همچنین قصد دارد در تاریخ 10 آگوست 2022 (19 مرداد) از جدیدترین گوشی‌های تاشو خود یعنی گلکسی زد فولد 4 و زد فلیپ 4 نیز رونمایی کند.
