سامسونگ یکی از بزرگترین تولیدکنندگان چیپ در دنیا محسوب میشود که روی فناوریهای جدیدی کار میکند. سامسونگ در رویداد Samsung Foundry Forum 2022، از تولید تراشههای 2 و 1.4 نانومتری در سالهای پیش رو خبر داد.
پیش از اینکه سامسونگ به سراغ تراشههای 2 و 1.4 نانومتری برود، شروع به تولید انبوه تراشههای 3 نانومتری با فناوری GAA کرده است. فناوری GAA، نحوه طراحی پایه ترانزیستور را متحول میکند و منجر به بهبود چشمگیر بهرهوری انرژی میشود. نسل دوم این تراشهها سال آینده میلادی از راه میرسند.
به گفته سامسونگ، نسل دوم تراشههای 3 نانومتری تا 20 درصد ترانزیستورهای کوچکتری خواهند داشت که نتیجهاش تولید چیپهای کوچکتر و کممصرفتر برای گوشیهای هوشمند، ابزارهای پوشیدنی و پیسیها خواهد بود. در سال 2025 هم نسل بعد تراشههای 3 نانومتری با فرایند +SF3P از راه میرسند.
سامسونگ و تولید تراشههای 2 و 1.4 نانومتری
سامسونگ اعلام کرده که در سال 2025 شروع به تولید تراشههای 2 نانومتری میکند. در این زمان کرهایها به سراغ فناوری «Backside Power Delivery» برای چیپها میروند که ارتباطات و انتقال توان را در دو بخش تراشه ممکن میکند. این کار عملکرد کلی چیپ را بهبود میدهد و اینتل هم میخواهد سال 2024 به سراغ این فناوری برود.
سامسونگ پس از تراشههای 2 نانومتری، به سراغ نمونههای 1.4 نانومتری میرود. تولید انبوه این چیپها از سال 2027 شروع میشود، البته هنوز کرهایها از بهبودهای این لیتوگرافی حرفی به میان نیاوردهاند، هرچند قانون مور هنوز زنده خواهد بود.
کرهایها همچنین گفتهاند فناوری بستهبندی ادغام ناهمگن 2.5D/3D خود را هم بهبود میدهند. فناوری بستهبندی سهبعدی X-Cube سامسونگ با اتصال micro-bump، سال 2024 از راه میرسد و در سال 2026 باید منتظر فناوری سهبعدی X-Cube بدون bump باشیم. سامسونگ همچنین تا سال 2027 نسبت به 2022، ظرفیت تولید تراشههایش را 3 برابر افزایش میدهد.