سامسونگ در حال توسعه حافظه DDR6 برای نسل بعدی دستگاه‌هاست. این استاندارد دو برابر سریع‌تر از DDR5 خواهد بود اما تا عرضه آن احتمالا باید چند سال دیگر منتظر بمانیم.
به گزارش وب‌سایت ComputerBase، سامسونگ هنوز در مراحل اولیه توسعه حافظه DDR6 قرار دارد اما با همکاری اعضای JEDEC می‌تواند این استاندارد را تا سال ۲۰۲۴ آماده کند. JEDEC یک سازمان مستقل در زمینه تدوین استانداردهای نیمه‌رسانا با بیش از ۳۰۰ عضو است.
همان‌طور که DDR5 سرعتی دو برابر DDR4 را عرضه کرد، استاندارد DDR6 هم قرار است دو برابر سریع‌تر از نسل فعلی باشد و نرخ انتقال اطلاعات را به ۱۲۸۰۰ مگابیت بر ثانیه برساند. این رقم در حالت اوورکلاک به ۱۷۰۰۰ مگابیت بر ثانیه خواهد رسید. به‌علاوه، DDR6 دو برابر DDR5 کانال حافظه خواهد داشت، یعنی چهار کانال ۱۶ بیتی و ۶۴ بانک نگهداری حافظه را شامل می‌شود.
در خصوص LPDDR6 یا Low Power DDR6 به نظر نمی‌رسد که سامسونگ برنامه‌ای برای افزایش سرعت انتقال اطلاعات نسبت به LPDDR5 داشته باشد، اما می‌خواهد بهینگی مصرف انرژی را ۲۰ درصد افزایش دهد. این غول کره‌ای همچنین برنامه آینده دورتر را هم تدوین کرده و در نهایت می‌خواهد DDR6 را با +DDR6 جایگزین کند.
گفته شده که حافظه +DDR6 به ازای پین به حداکثر سرعت ۲۴ گیگابیت بر ثانیه می‌رسد، یعنی پردازشگرهای گرافیکی با گذرگاه ۲۵۶ بیتی می‌توانند حداکثر پهنای باند ۷۶۸ گیگابایت بر ثانیه‌ای داشته باشند. در آن سو، پردازشگرهای گرافیکی با گذرگاه ۳۲۰ بیتی یا بیشتر می‌توانند به پهنای باند ۱ ترابایت بر ثانیه دست یابند.
در ادامه نوبت به DDR7 خواهد رسید که احتمالا دو برابر سریع‌تر از DDR6 خواهد بود و به ازای پین توان ۳۲ گیگابیت بر ثانیه‌ای ارائه می‌کند. این حافظه با گذرگاه ۲۵۶ بیتی پهنای باند ۱ ترابایتی، با گذرگاه ۳۸۴ بیتی پهنای باند ۱.۵ ترابایتی و با گذرگاه ۵۱۲ بیتی پهنای باند ۲ ترابایتی خواهد داشت. با این حال فعلا اطلاعات زیادی درباره این استاندارد در دسترس نیست و ابتدا باید منتظر باشیم تا DDR6 و +DDR6 تولید شوند و به بازار مصرفی بیایند.
