سامسونگ به عنوان بازیگر اصلی بازار حافظه فلش در پی تولید نخستین چیپ ۱۶۰ لایهای NAND است.
چند هفته قبل رسانهها مدعی شدند که کمپانی چینی SK Hynix چیپ ۱۲۸ لایهای QLC NAND طراحی کرده که از نظر سرعت، ظرفیت و مصرف انرژی بهتر از تراشه ۱۳۶ لایهای V-NAND سامسونگ است. دیگر رقبای سامسونگ هم دست روی دست نگذاشتهاند. وسترن دیجیتال و Kioxia تا پاییز امسال چیپ های ۱۱۲ لایهای 3D NAND را وارد بازار میکنند و میکرون هم با اندکی اقبال تراشه ۱۲۸ لایهای NAND را حتی قبل از آن در قلب SSDها جای خواهد داد.
سامسونگ برای حفظ بازار خود دست به کار شده و به سرعت در حال توسعه نسل هفتم چیپ حافظه V-NAND با ۱۶۰ لایه است که تا اواخر پاییز وارد تولید فاز تولید انبوه خواهد شد.
چیپ NAND جدید کرهایها از فناوری پیشرفته Double Stack برای افزایش ۶۷ درصدی چگالی سلول به ازای هر بسته استفاده می کند. این دستاورد به کاهش مصرف انرژی و کاهش قیمت محصول در مقایسه با چیپهای ۹۶ لایه معمول فعلی منجر میشود. البته این مزایا به قیمت کاهش تاب نوشتن کلی تمام شده و آنرا از فهرست حافظه های ایدهآل سازمانی خارج میکند.
در بازار سازمانی هنوز اینتل 3D XPoint و سامسونگ Z-NAND از نظر تاخیر و تاب نوشتن حرف اول را میزنند و حتی اینتل در پی عرضه حافظه فلش ۱۴۴ لایه ای QLC در درایوهای اپتین بعدی است که قابلیتهای گسترده ای را به همراه خواهد آورد.
سامسونگ در سال گذشته ۱۶.۵ میلیارد دلار از عرضه حافظههای فلش NAND به دست آورده و ۸ میلیون آنرا صرف ارتقای فناوری کارخانههای خود در چین خواهد کرد. این کمپانی قصد اعزام ۲۰۰ مهندس به چین برای نظارت بر خطوط تولید چیپهای NAND را دارد و در صورتی که همه چیز طبق برنامه پیش برود، ماهیانه ۱۳۰ هزار ویفر تولید خواهد کرد.