سامسونگ در گردهمایی Hot chips 33 از توسعه اولین ماژول رم ۵۱۲ گیگابایتی DDR5-7200 خبر داد. این ماژول رم در مقایسه با نمونه DDR4، تا ۴۰ درصد عملکرد بالاتر و دو برابر ظرفیت بیشتر را در ولتاژ ۱.۱ ولت ارائه می‌کند.
سامسونگ ماژول DDR5-7200 خود را با استفاده از دای‌های DDR5 هشت پشته ساخته که با استفاده از فناوری TSV به یکدیگر متصل شده‌اند. این پیکربندی نسبت به رم‌های DDR4 که در آن‌ها ازچهار دای DDR4 استفاده می‌شود، پیشرفت بزرگی است. پشته‌های DDR5 برخلاف برخورداری از تراکم بیشتر نسبت به پشته‌های DDR 4، کوچک‌تر هستند (اندازه پشته DDR5 یک میلی‌متر و اندازه پشته DDR4 به میزان 1.2 میلی‌متر است).
سامسونگ در ساخت ماژول‌های DDR5-7200 برای کاهش فاصله بین دای‌ها، از تکنیک‌های مبتنی بر استفاده از ویفرهای نازک استفاده کرده و با این روش ارتفاع پشته‌ها را تا ۴۰ درصد کاهش داده است. طراحی باریک‌تر این ماژول رم باعث می‌شود در ولتاژ پایین‌تری هم بتواند کار کند. این ماژول می‌تواند در ولتاژ ۱.۱ ولت هم کار کند که تنها 0.92 درصد ولتاژ موردنیاز رم DDR4 است.
در ماژول رم DDR5 سامسونگ از مدار مجتمع مدیریت نیرو (PMIC) و یک تنظیم‌کننده ولتاژ با راندمان بالا استفاده شده و همچنین از فرایند گیت فلزی با ضریب دی‌الکتریک بالا بهره گرفته شده که افزایش راندمان ماژول را به دنبال دارد. سامسونگ مدعی است استفاده از PMIC نه تنها باعث کاهش ولتاژ مصرفی می‌شود، بلکه نویز در زمان پردازش را نیز کاهش می‌دهد.
در ضمن سامسونگ قابلیت Same-Bank refresh را SBR را نیز در ماژول‌های جدید خود ایجاد کرده تا بهره‌وری باس DRAM را تا 10 درصد بیشتر از بهره‌وری باس ماژول DDR4 کند. در ضمن سامسونگ به‌منظور تقویت پایداری سیگنال رم جدیدش از اکولایزر بازخورد تصمیم‌گیری (DEF) جدیدی استفاده کرده است. در ماژول رم سامسونگ به‌منظور افزایش امنیت و اطمینان مدیریت داده‌ها، کد تصحیح خطای روی دای نیز ایجاد شده است.
ماژول رم ۵۱۲ گیگابایتی سامسونگ برای کامپیوترهای شخصی و سیستم‌های مشابه ساخته نشده و سامسونگ آن را با هدف استفاده در سرورها و دیتاسنترها توسعه داده است.
