سامسونگ الکترونیکس از توسعه ماژول حافظه DDR5 با ظرفیت ۵۱۲ گیگابایت خبر داده که بر اساس یک فرایند جدید تولید شده و در مقایسه با نسل قبل، مصرف انرژی پایین‌تری دارد.
حافظه جدید سامسونگ اولین DRAM تولیدی این کمپانی است که بر مبنای استادارد اخیر مربوط به ماه جولای سال گذشته JEDEC تولید شده است. استاندارد حافظه JEDEC، مشخصات مدارهای نیمه‌هادی حافظه و نیز دیگر تجهیزات ذخیره سازی را تعریف می‌کند. به گفته سامسونگ این حافظه DDR5 می‌تواند از پس پهنای باند بالای مورد نیاز در اپلیکیشن‌هایی از جمله محاسبات سوپر کامپیوترها، هوش مصنوعی، یادگیری ماشین و تحلیل داده بر آید.
این حافظه با فرایند گیت‌های فلزی با دی الکتریک با کاپای زیاد (HKMG) تولید شده است. دی الکتریک با کاپای زیاد به ماده‌ای با ثابت دی الکتریک بالا گفته می‌شود. تولید قطعات با کاپای زیاد یکی از روش‌ها برای توسعه اجزای الکترونیکی کوچک‌تر و نیز روشی برای همگام شدن با قانون مور است. حافظه DDR5 سامسونگ نرخ انتقال داده ۷۲۰۰ مگابیت بر ثانیه دارد که در مقایسه با DDR4، دو برابر محسوب می‌شود. سامسونگ برای تولید این حافظه از چیپ‌هایی با ۸ لایه ۱۶ گیگابیتی استفاده کرده است. به گفته کمپانی کره‌ای، فرایند HKMG موجب می‌شود این حافظه در مقایسه با نسل قبل تا ۱۳ درصد انرژی کمتری مصرف کند و به همین دلیل می‌تواند گزینه‌ای جذاب برای دیتا سنترها باشد.
سامسونگ در کنار ماژول حافظه ۵۱۲ گیگابایتی جدید در حال ارسال نمونه‌هایی از مدل‌های دیگر محصولات خانواده DDR5 برای مشتریان است تا تاییدیه‌ها و گواهینامه‌های مورد نیاز خود را دریافت کند.
به گفته سامسونگ، تیم مهندسان اینتل در حال همکاری نزدیک با کمپانی‌های پیشرو در حوزه حافظه از جمله سامسونگ هستند تا حافظه‌های DDR5 بهینه و سریع عرضه شود. این حافظه‌ها که از نظر کارایی بهینه شده‌اند با پردازنده‌های آتی زئون با اسم رمز سپفایر رپیدز سازگار هستند.
