برنامه اینتل برای سال ۲۰۲۵ به بعد: افزایش ۱۰ برابری تراکم و ۵۰ درصد ترانزیستور بیشتر

محققان اینتل راهکارهایی را برای طراحی، تولید و مونتاژ قطعات با تراکم داخلی ۱۰ برابری معرفی کرده‌اند. اینتل برای استفاده حداکثری از روش‌های پیشرفته بسته‌بندی تراشه‌ها به دنبال پیاده‌سازی استانداردهای صنعتی و سازوکارهای آزمایشی جدید خواهد بود تا دستیابی به یک اکوسیستم چیپلت هیبریدی را ممکن کند.

این شرکت با استفاده از فناوری RibbonFET عصر FinFET را پشت سر می‌گذارد تا ترانزیستورها را به‌صورت پشته‌های چندگانه کار بگذارد و شمار آن‌ها را در هر میلی‌متر مربع افزایش دهد. اینتل همچنین با ورود به عصر انگستروم در پی استفاده از موادی به ضخامت چند اتم برای تولید ترانزیستورها خواهد بود تا بر محدودیت‌های فعلی دنیای سیلیکون‌ها غلبه کند.

این تراشه‌ساز آمریکایی قرار است روی ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری از اولین نمونه سوئیچ‌های مبتنی بر فناوری GaN در ترکیب با CMOS سیلیکونی استفاده کند. با این کار تامین برق با کمترین هدررفت و بیشترین سرعت برای CPU ممکن می‌شود و حجم و فضای قطعات مادربرد کاهش می‌یابد. دستاورد بعدی اینتل استفاده از مواد فِروالکتریک برای نسل بعدی حافظه‌های توکار DRAM است که سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات را در کارکردهای مختلف، از گیمینگ گرفته تا هوش مصنوعی، افزایش می‌دهد.

اینتل همچنین در IEDM 2021 اولین نمونه آزمایشی از مدار منطقی MESO را در دمای اتاق به نمایش گذاشت. این شرکت نشان داد که تولید نوع جدید ترانزیستورها بر مبنای مواد مغناطیسی مقیاس نانو شدنی است. به‌علاوه، اینتل نمونه کاملی از فرآیند کیوبیت ۳۰۰ میلی‌متری را در زمینه رایانش کوانتومی نشان داد. این فناوری با فرآیند تولید CMOS سازگار است و مسیر آینده تحقیقات آن‌ها را مشخص می‌کند.