اینتل میخواهد با تمام قدرت دوباره به دوران اوج خود برگردد. این کمپانی سال گذشته میلادی اعلام کرد که تا 2025 میخواهد به رهبر دنیای ساخت تراشه تبدیل شود و از TSMC و سامسونگ پیشی بگیرد. حالا این کمپانی گفته که تا سال 2030، میتوانیم شاهد استفاده از یک تریلیون ترانزیستور روی تراشههای آن باشیم.
سامسونگ و TSMC در حال حاضر بازار چیپسازی را رهبری میکنند و سال آینده میلادی تراشههای 3 نانومتری آنها از راه میرسند. هرچقدر ترانزیستورها کوچکتر شوند، میتوان تعداد بیشتری از آنها را روی چیپها قرار داد تا مصرف انرژی آنها کاهش یابد و قدرتشان بیشتر شود.
در سالهای اخیر لیتوگرافی تراشهها کوچکتر شده است؛ برای مثال پیشرفتهترین چیپهای کنونی بازار 4 نانومتری هستند. برای اینکه متوجه شویم کوچکتر کردن ترانزیستورها چه فایدهای دارد، میتوانیم نگاهی به ترانزیستورهای A13 Bionic و A16 Bionic داشته باشیم.
تراشه A13 Bionic که با لیتوگرافی 7 نانومتری TSMC برای سری آیفون 11 تولید شد، 8.5 میلیارد ترانزیستور دارد. برای مقایسه، چیپ A16 Bionic مورد استفاده در گوشیهای سری آیفون 14 که با لیتوگرافی 4 نانومتری تولید شده است، نزدیک به 16 میلیارد ترانزیستور دارد.
تراشه با یک تریلیون ترانزیستور تا 2030
روند کوچکشدن ترانزیستورها ادامه خواهد داشت و تعداد آنها روی تراشهها افزایش مییابد. در سال 2025 باید منتظر تراشههای 2 نانومتری باشیم و احتمالاً در سال 2027، چیپهای 1.4 نانومتری از راه میرسند. شرکت TSMC حتی درباره تراشههای 1 نانومتری هم صحبت کرده است، اما نمیدانیم آنها چه زمانی از راه میرسند.
اما اینتل پا را از این فراتر گذاشته و از آوردن یک تریلیون ترانزیستور روی تراشهها صحبت کرده است. اینتل در رویداد IEDM 2022 و جشنگرفتن 75 سالگی ترانزیستور، گفت که تا سال 2030، یک تریلیون ترانزیستور روی یک پکیج قرار میدهد.
یک پکیج شامل تراشه میشود که میتواند روی مدار لحیم یا اضافه شود. در حالت عادی روی یک پکیج، یک چیپ قرار میگیرد مگر اینکه با ماژولهای مولتی-چیپ روبهرو شویم. برای مثال یک حافظه eMMC شامل یک فلش مموری و کنترلر فلش مموری میشود.
به گفته اینتل، قانون مور همچنان زنده میماند؛ قانونی که میگوید تعداد ترانزیستورها روی تراشهها هر سال، دو برابر میشود. اینتل برای دستیابی به هدفش مبنی بر قراردادن یک تریلیون ترانزیستور روی یک پکیج یا تراشه، باید به فناوریهای مختلف دست یابد.
یکی از پیشرفتهای اخیر در دنیای تراشهها، استفاده از فناوری GAA بهجای FinFET است که بهوسیله آن میتوان جریان را در چهار طرف کانال دستکاری کرد و همچنین به سراغ نانوروبانهای عمودی رفت. سامسونگ برای تراشههای 3 نانومتری از GAA و TSMC برای چیپهای 2 نانومتری از این فناوری استفاده خواهد کرد. اینتل هم سال 2024 به سراغ فناوری مشابهی به نام RibbonFET میرود.
اینتل علاوه بر RibbonFET، باید به سراغ فناوریهای دیگری هم برود تا بتواند تا سال 2030، یک تریلیون ترانزیستور روی تراشهها قرار دهد. این کمپانی برای دستیابی به این هدف، از مواد جدیدی هم استفاده خواهد کرد که ضخامت بسیار کمی به اندازه 3 اتم خواهند داشت.